A Samsung e a Micron estão trabalhando em uma nova arquitetura de memória. O processo, que deve estrear nos Ivy Bridge usando construção em 3D, seria semelhante à arquitetura desenvolvida pela Intel. A 3DRAM, nome do novo padrão, quando comparado com os atuais DDR3, deve ser capaz de proporcionar 15 vezes mais desempenho, com uso de 70% menos energia a cada bit processado.
A razão da criação deste novo padrão de memória reside na incapacidade do padrão DDR3 e do futuro DDR4 em trabalhar em harmonia com computadores de ponta no futuro próximo. A 3DRAM é uma promessa de memória RAM do futuro, que pode até mesmo ser agregada internamente às futuras gerações de APUs.
O ritmo acelerado de desenvolvimento de processadores não é acompanhado no mesmo ritmo pelas novas memórias. As tecnologias atuais de manufatura simplesmente estão no limite, logo não acompanharão a velocidade e a demanda de transferência de dados que os novos processadores exigirão.
Diante disso, a Samsung e a Micron, duas das maiores fabricantes de memória RAM do mundo, resolveram unir forças para desenvolver e pressionar o mercado pela adoção de um novo padrão. A 3DRAM terá módulos construídos com a concepção em cubo, como, por exemplo, os Ivy Bridge. As construções passam a ter altura, além de largura e comprimento. Tudo medido em nanômetros, claro.
A ideia da arquitetura de componentes em 3D é a de colocar chips sobrepostos, diferentemente da concepção convencional de chips posicionados lado a lado. Isso contribui para uma considerável redução de tamanho: as 3DRAM devem ser até 90% menores que as DDR3. Ainda por conta do modo de construção, as 3DRAM podem atingir 9 vezes a capacidade máxima das DDR3 atuais, ou seja, de 32GB para 288GB.
A 3DRAM ainda não tem data para chegar ao mercado. E nem mesmo se sabe se um dia chegará. Samsung e Micron precisam ainda instituir especificações, ferramentas, convencer outros fabricantes a desenvolver o padrão e mostrar sua viabilidade financeira.
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